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SparkNano

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选择批处理退化的原因是它提供了最佳的钝化质量,使我们能够产生最高的太阳能电池的效率。Beneq ALD最有经验的公司在大规模批量生产。这使得它们自然为我们的合作伙伴。此外,Beneq ALD技术为我们提供了一个成本有竞争力的解决方案,

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比较SparkNano竞争对手

O
的公司

的公司,连同它的全资子公司,是一个技术孵化器集中在识别、获取、开发和商业化的替代能源和可再生能源技术。通过建立关系与大学、研究机构、政府机构和创业公司,公司努力识别技术和商业机会的优势的创新服务和未满足的市场需求的潜力。目前技术已被确认,公司资金与技术相关的研究和开发活动的意图最终,如果必要,许可、商业化和市场主体技术,通过内部资源,或合作协议。独特的公司的商业模式是建立研究基础设施的使用各种组织所拥有的公司处理,拯救美国资本,否则需要诸如土地和建筑收购、购买设备和家具,和其他的启动成本。因此,公司在发展能够进行研究。nnAmong公司目前的研究和开发活动,是一种新技术的发展能够适应现有的家里和办公室玻璃窗的发电能力的太阳能不失透明或要求制造业基础设施重大变化。该公司也在开发一个系统利用车辆在运动的动能的一部分努力加强交通基础设施和系统的可持续发展和能源效率。

一个
Accustrata

Accustrata公司收到了SBIR IB格兰特阶段为项目标题为:实时光学薄膜太阳能电池制造控制系统。他们的研究项目涉及到实时光学控制系统在下一代制造薄膜太阳能电池和电池板。提出系统提高薄膜太阳能电池制造通过改善个人太阳能电池和电池板的质量。它允许制造更多的一致和统一的产品导致更高的太阳能转换效率和生产产量。该系统使用专利微型光纤传感器,安装在影片中很多地方沉积室。他们监视基质的不同部位和获得电影属性的实时测量。系统比较针对性的测量值和提供即时修正,改善薄膜均匀性和缩小材料属性分布。它返回的大部分产品有针对性的规范,否则将被拒绝。这个提议将减少浪费、提高生产产量和薄膜太阳能电池和电池板的转换效率。大型太阳能电池板的具体利益,制造的高成本今天由于制造业产量不足。 The proposed technology will reduce the time it takes for solar panels to reach grid parity with traditional energy sources. The proposed technology will also facilitate the development of numerous other applications for next generation thin film based products such as photonic crystals, nanotechnology, meta-materials, multi-junction solar cells, printing and counterfeiting control. This award is funded under the American Recovery and Reinvestment Act of 2009 (Public Law 111-5).

年代
硅光子学集团

硅光子学集团公司收到STTR阶段我承认为一个项目标题为:先进Si-Ge-Sn-based光子材料和设备。他们的研究项目旨在演示原型红外线探测器和光伏(太阳能电池)设备基于亚利桑那州立大学开发的相关技术。新技术探索在于越来越多的光学质量的合金锡和锗(Ge1-ySny)直接在硅晶圆。这些合金作为红外材料,也可以作为模板用于其他半导体硅的后续发展。这个项目特别感兴趣的是三元合金Ge1-x-ySixSny,亚利桑那州立大学的首次增长。使用这种技术,可以建立红外探测器覆盖硅探测器的光谱范围先前难以接近,和建立多结光伏设备更高效的太阳能光子捕获。半导体器件的制造廉价的硅晶片具有重要意义,因为潜在的巨大的成本削减和集成光电子和微电子功能的可能性,从而进一步地降低了成本,有利于系统的小型化。红外探测器这里提出支付所谓的电信C - L -,和U-bands窗口波长1500纳米左右,一个地区的电信行业。在光电领域,该设备有可能提供更高的效率与非晶硅晶体硅设备竞争力的解决方案。

子午线部署公司

子午线部署公司的公司收到了SBIR第一阶段资助项目的标题为:Motion-Free跟踪太阳能集中器。他们的项目调查新颖的光学元件(OE)光伏(PV)系统使用折射率调制引导阳光。它解决的根本挑战跟踪太阳的运动,同时保持集中的目标。几十年来,这已经完成机电使用汽车和反馈电路物理移动光学和/或目标,以便设备总是与太阳。这个项目提供了一个简单的,motion-free跟踪系统,消除了所有当前机械追踪者的消极方面。适用于部署在任何光伏系统通过调整光学特征。这个项目的目标是优化设计元素的OE包括材料、配置和制造技术,构建原型测试实验室和领域的网站。阶段我将建立一个原型motion-free跟踪收集器和集中器,将解决三个相互关联的设计问题。这些是1)最大化吞吐量的设备通过消除不必要的反射从各种接口,2)最大化太阳能入射角度的范围,和3)降低的成本完成设备商业化。/商业潜力的广泛影响这个项目将会使局部太阳能发电的广泛应用。 This technology solves the inherent complexity of simultaneously realizing mechanical stability under wind and seismic loading, electro-mechanical tracking accuracy, and eliminates high costs associated with mechanical trackers. Phase I of this program will establish technical benchmarks to maximize the steering range and light concentration ratio for a novel motion-free tracking system. New conductive coatings are index-matched to minimize internal reflections that cause loss of light throughput, while lens geometries and other components will be engineered to maximize efficiency of the system. Because the device is low-profile and lightweight, it can be easily installed on existing rooftops without requiring substantial structural reinforcement, making commercial acceptance likely. This motion-free tracking technology has these commercial advantages over existing solar PV systems: simple, inexpensive installation, low profile esthetics, and more efficient solar power generation for commercial and residential installations. In summary, it will generate more electricity from a smaller footprint for lower overall cost.

M V系统

M V系统的公司收到了SBIR项目二期格兰特标题为:制造的窄带隙Nano-crystalline SiGeC薄膜使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) "技术。资助他们的他们的奖是根据2009年美国复苏与再投资法案》项目是开发薄膜串联太阳能电池,包括纳米晶体硅和硅碳(实际和实际:C)吸收材料,与~ 20%的转换效率。第一阶段项目成功开发的一个关键组件,即内在实际:C带隙,如~ 1.5 eV和具有良好的光电性能。将使用这个关键材料最初在第二阶段制造细胞单个连接配置的效率目标~ 10%。以前,发达的“设备质量”实际材料,例如~ 1.1 ev,是用于生产太阳能电池效率~ 8%。集成这两个设备在串联连接配置~ 18%预计将产生的效益。进一步改善串联连接的设备效率,~ 20%,可以实现通过使用缓冲层的p /我/ n或接口和通过增加晶粒尺寸将提高开路电压、挥发性有机化合物。更高的效率薄膜串联太阳能电池将至关重要实现必要的低成本实现广泛采用的光伏发电系统。M V系统的公司收到了SBIR第一阶段资助项目的标题为:制造的窄带隙nano-crystalline SiGeC薄膜使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) "技术。他们的项目将开发纳米晶体SiGeC薄膜的光学带隙(例如)1.6 - -1.8 eV的范围,和增强吸收特征,导致低成本、高效(> 20%)光伏设备。 Previous attempts at improving the photovoltaic efficiency have not been consistent and successful. The proposed approach uses plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique to deposit these films, which allows greater control of the process by being able to manipulate the plasma and electron temperatures to control the ion density in the plasma, with an independent control of the process parameters. This flexibility does not exist in the currently used techniques. With the proposed technique, stable and consistent films of SiGeC can be deposited on the desired substrate at moderate temperatures. If successfully developed, this technique could provide higher efficiency solar cells for the alternative energy market. The goal of highly stable films, high deposition efficiency and process scalability for large-scale manufacturing can only be achieved if the basic process can be proven. The broader impacts of this research will be in the low-cost photovoltaic (PV) devices for power generation market. If successfully completed, this research could lead to a strong partnership between solar cell manufacturers and equipment manufacturers, leading to a potentially lucrative photovoltaics market. Currently, electricity generated with available PV devices is 3-4 times more expensive as the conventional electricity. The selected materials (Si, Ge and C) for the thin film are abundantly available, which can significantly reduce the raw materials costs. A large body of basic knowledge of the requirements of solar electricity for the competitive market already exists, which makes the development of the process with a realistic performance target easy to achieve. The main challenge for achieving this goal lies in being able to control the deposition process to assure a stable and robust process, as the previous work has not been able to achieve consistent results. The initial target of producing a triple-junction thin-film solar cell is a worthy first product demonstration, which will prove the efficacy of the proposed technique, and attract third-party funding with little difficulty.

J
杰姆企业

杰姆企业公司收到了SBIR第一阶段项目授予资格:硫化锡(II)光伏发电。他们的项目旨在开发光伏设备基于硫化锡(II) (SnS)。SnS的属性,包括带隙,载体密度和流动性,化学和热稳定性,以及冶金性能,保证实现的可能性相对较高的转换效率先进过程控制和设备设计。在这个项目中,近空间升华(CSS)技术,薄膜制备方法证明了低成本和高可制造性,将用于合成SnS。这个项目的整体/商业影响将可能产生光伏设备基于低成本和环保的材料。毫无疑问,太阳能发电近年来吸引了很多关注,作为替代能源和可再生能源。然而,大多数现有的太阳能电池技术有一个或多个以下问题,(1)原材料不是十分充裕;(2)使用有毒材料;(3)总成本很高。该项目将解决这些问题通过开发光伏设备使用SnS,半导体材料,可以提供大规模和回收成本较低。

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